Notice/News [보도자료] IGaN and A-PRO co-developing 650V GaN device on 200mm platform 페이지 정보 작성자 에이프로 작성일2020-12-01 본문 지난 11월 23일 진행된 IGaN社와의 Kick-off 세레모니 이후 외신에도 해당 내용이 보도되었습니다.자세한 내용은 아래 링크를 통해 확인 해주시기 바라며, 앞으로도 주주 여러분의 많은 관심과 성원을 부탁 드립니다. >> 기사 내용 바로가기! << Previous [보도자료] GaN반도체 국내 첫 양산…장비소형화 촉진 21.01.19 Next [보도자료] K배터리에 숨을 불어 넣는 ‘에이프로’ 20.12.01 List